中国电镜用户之家

第十一场研讨会 | 使用正切、反切和平面切割方式制备逻辑和存储器件的TEM薄片样品

 二维码
发表时间:2021-05-11 15:00

主题:Prepare Top-down, Inverted and Planar TEM lamella from Logic and Memory Devices

演讲人:Lukas Hladik


Lukas Hladik 是失效分析半导体研发实验室的FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案的产品经理。Lukas毕业于捷克布尔诺理工大学,获得物理工程和纳米技术硕士学位。他于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING,担任Plasma FIB-SEM的应用专家,长期从事与全球半导体行业有关的工作。

时间段1:5月12日,下午3:00–4:00 (北京时间)
时间段2:5月13日,上午1:00–2:00 (北京时间)



全球集成电路(IC)行业不仅面临着对电子器件需求的持续增长,而且还需要面对器件性能和能耗的提高——并且于此同时还要减少其占用空间。为了达到这一目的,TEM样品制备已成为失效分析过程中不可避免的一部分。
当今3D结构的器件需要通过多个方位观察才能对缺陷进行定位。越来越精细的尺寸则决定了必须使用反切TEM薄片的方式才能获得10纳米以下的样品厚度。由于缺陷大小往往已达到纳米级别,就需要使用STEM(扫描透射电子探头)从平面方向上对TEM薄片进行观测。因此,TEM薄片提取过程可能需要多个操作步骤,甚至需要将样品室泄真空后再倒置或平面放置样品TESCAN SOLARIS通过一种专利设置解决了这些问题,只需要一个简单的操作步骤,就可以将块状样品的薄片转移到TEM网格上,并且不需要样品室泄真空或重新放置样品。最重要的是,这种方法不需要安装任何额外的硬件。
本次研讨会上,您可以深入了解TESCAN SOLARIS及其辅助系统如何在半导体失效分析实验室环境中半自动化、高质量、低束流损伤地完成样品制备。
如您对本场研讨会感兴趣,点击“我要报名立即报名参会吧!


说明:为了让更多的用户可以参与到本次研讨会中,每一场研讨会都有两个时间段可供选,内容相同,与会者可自行选择报名参加其中一个时间段的研讨会。

TESCAN FIB-SEM SOLARIS



 
设为首页 | 收藏本站
SEM应用&技术中心

应用中心           镜技术          产品推荐         点新闻