TESCAN S8000X 是一款功能强大的氙（Xe）等离子源 FIB 系统，可以轻松实现大体积样品的表征，以及无镓离子注入效应的样品制备和修改。结合无漏磁超高分辨 BrightBeam™ 型 SEM 镜筒，以及可提供强大而精确的刻蚀功能的新型 iFIB+™ 型氙（Xe）等离子镜筒，TESCAN S8000X系统成为理想的样品平面去层、低电压电镜观测，以及制备小于 20 nm 制程技术的纳米分析平台。 TESCAN S8000X同样适用于大体积半导体器件的物理故障分析，例如封装和 MEMS 中的大面积横截面，以及任何大尺寸材料的三维微观表征。
突出特点
l 新款 iFIB+™ 型氙（Xe）等离子 FIB 镜筒
o 高离子束流可以实现超快的溅射速率
o 超大视场范围：1 mm（30 kV）
o 快速精确的压电驱动光阑变换器
l BrightBeam™ 型超高分辨率 SEM 镜筒
o 无漏磁超高分辨 SEM 镜筒，适用于各类样品测试
o 优化的镜筒内探测器系统，提高了检测效率和能量过滤能力
o 自适应束斑优化，可在大束流下实现更好的性能
l 全新的 Essence™ 电镜控制软件
o 友好的用户界面
o 符合实际应用需求、界面可定制化
主要优势
l 使用气体辅助氙等离子 FIB 进行去层的应用方案
专用的气体与氙等离子体 FIB 的组合可以进行小于 20 制程技术的自上向下的平面去层，以及随后的原位电子纳米探针实验。经过实际验证，我们的应用方案可以确保在大于 200 × 200 µm² 的窗口中具有非常均匀的平面度，而且可以在芯片上的任何位置挖开这个窗口。
l 氙等离子体 FIB 镜筒具有高离子束流和超大视场范围（FoV），可实现超大面积的截面加工
新型 iFIB+™ 镜筒可在 1 mm 的大视场范围内轻松实现样品导航（30 kV下），结合高离子束流，能够在非常短的时间内完成封装技术分析，MEMS及其它大型半导体或光电子结构中超大横截面的加工处理。这是简化前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）中复杂物理失效分析工作流程的最佳解决方案。
l 充分利用电子和离子束功能，实现应用最大化
新一代 OptiGIS™ 是一款快速、高效且高性能的气体注入系统（GIS），这对于所有 FIB 应用都是必不可少的。S8000X 可安装多达6支 OptiGIS™ ，实现最大程度的功能多样化，满足多任务情况下的应用需求，从而提供用于自上而下 IC 均匀平面去层所需的不同气体。
l 轻松实现最高的精度及最佳的 FIB 性能
新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择最佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。
l 最小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性
Xe 离子的惰性特性可防止样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。
l 最佳的表面灵敏度，多方面的样品表征
BrightBeam™ 型 SEM 镜筒可提供无漏磁超高分辨率成像，尤其是在低电压下具有出色的性能。电子光学设计与优化的探测器系统相结合，即使在超低的加速电压下也能保证出色地完成电子信号的收集，不需要减速模式，就可以获得最佳的表面灵敏度和多方面的样品表征。
l 增强的表面灵敏度和衬度
具有角度选择和能量过滤功能的探测器系统可以获得更好的表面灵敏度，并能够得到不同衬度的图像。
l 提供微分析的最佳工作条件
BrightBeam™ 型 SEM 镜筒具有光阑优化功能，可提高大束流下的分辨率，为快速微量分析提供了最佳添加。得益于 EquiPower™ 透镜技术，S8000X 在长耗时应用（如 2D 和 3D 微量分析）中具有出色的镜筒稳定性。
l 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。
l 大尺寸晶圆分析
得益于最佳的 70° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8” 晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。
l 轻松实现以往复杂操作
新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优秀的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以最好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的 DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。
