FERA3 为全球首款集成 Xe 等离子源 FIB 和 SEM 的双束扫描电镜,离子束流最高达 2 µA,因此其溅射速度是传统 Ga 离子源的 50 倍以上,这使得 FERA3 成为完成耗时过长或几乎不可能实现的大体积铣削任务的理想设备。
在 FIB-SEM 系统中,电子和离子束的焦点可以重合,从而可以对多种实际应用进行优化。这一特征使得其在 FIB 铣削任务期间能够同时进行 SEM 成像——这使得在完成极高精度要求的 FIB 操作时,性能和吞吐量都有了巨大飞跃。同时,FERA3 配备有高性能的电路系统以用于更快的图像采集,超快速的静态和动态图像畸变补偿扫描系统以及用户自定义内置应用程序脚本等。
突出特点
现代电子光学系统
l 独特的 Wide Field Optics™设计,利用中间镜 ( IML) 技术使扫描电镜具有多种操作和显示模式,如大视野模式、景深增强模式等;
l 实时电子束追踪技术(In-Flight Beam Tracing™),可实现性能及电子束的优化,同时直接连续调节控制电子束参数;
l 全自动电子光学系统的设置与对中;
l 极快速的图像采集速率,高达 20 ns;
l 应用先进的 3D 电子束技术可实现独特的实时立体成像观察,开启惊奇的 3D 体验及 3D 导航微纳世界之旅;
极其强大的 Xe 等离子源 FIB 镜筒
高电子回旋共振(High-ECR)产生的 Xe 等离子源 FIB 镜筒,可完成 Ga 离子源 FIB 在纳米工程领域不能完成的任务
l 溅射速率比 Ga 液态金属离子源快 50 倍;
l 离子束流范围:1 pA ~ 2 µA, 分辨率:< 25 nm;
l 新研发的高分辨率 Xe 等离子体 FIB 镜筒 (选配),分辨率优于15nm,进一步增强刻蚀能力;
l 大重量的 Xe 等离子具备更大的 FIB 电流范围,在无气体辅助增强的条件下也可实现超快溅射
l 相较于 Ga 液态金属离子源,离子注入效应显著减少;
l Xe 惰性气体原子不会改变图样区域附近的电学性能;
l 铣削过程中无金属间化合物形成。