不容错过 | 来自半导体失效分析实验室专家的报告回顾 二维码
发表时间：2021-09-15 10:16 第二场显微分析应用系列报告的下半场介绍了氙离子FIB在半导体领域如何助第二场显微分析应用系列报告的下半场介绍了氙离子FIB在半导体领域如何助力先进封装、微机电器件和光电集成产品的分析检测工作。TESCAN 是全球首家将等离子 FIB 集成到扫描电子显微镜（SEM）中的制造商，早在2011年就推出了FERA，并于2019年底推出了新一代的 AMBER X 和 SOLARIS X。其中 AMBER X 将可用于样品精确加工的氙等离子体 FIB 和无漏磁的超高分辨成像的 SEM完美地结合，应用于各类材料的显微结构表征。尤其在半导体领域的应用，使你的失效分析变得比他人更高效！ 讲师介绍 Lukas Hladik TESCAN失效分析半导体研发实验室，产品经理 多年从事全球半导体行业失效分析检测研究工作。获得物理工程和纳米技术硕士学位后，于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，担任Plasma FIB-SEM的应用专家，专注于FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案。 通过观看本次报告直播，您可了解到氙离子FIB在半导体行业的以下方面应用： 无Ga 污染TEM样品制备 高质量逐层剥离实时监控 6/8/12寸不破片晶圆导航观测 在大体积深度截面上更高效的无窗帘效应加工 详情透露： 更高效的无窗帘效应加工 这是一个锂电材料样品使用等离子FIB大束流进行加工后，因为没有用摇摆方式，在左图能看到明显的窗帘效应影响。当我们用±5°摇摆样品台加工后发现窗帘效应被有效地消除，获得非常平整干净的截面。 TESCAN始终秉持成就客户，服务科研的核心价值观。如果您有任何建议，欢迎扫描下方二维码提交您的宝贵意见：
 随着摩尔定律的发展逼近极限，3D封装技术对于半导体器件性能的提高越来越重要。3D封装器件失效分析面临的挑战是如何暴露出深埋的内部连接、倒装芯片和焊点等结构。 TESCAN将高通量 i-FIB+TM Xe 等离子 FIB镜筒与 TriglavTM UHR 电子镜筒配对，以扩展 FIB 在物理失效分析的极限，实现了超大宽度和深度横截面加工的技术突破。Xe 等离子FIB充分满足了3D封装物理失效分析的无机械应力，定点加工和快速制备大尺寸截面等要求。 延伸阅读 在线研讨会 | 使用正切、反切和平面切割方式制备逻辑和存储器件的TEM薄片样品  微信扫一扫关注 哔哩哔哩视频号
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