半导体和微电子
扫描电子显微镜(SEM)结合聚焦离子束(FIB)技术,能够提供高精度的分析能力,成为适用于高速发展的半导体产业的理想技术。半导体产业正陷入一场残酷的竞争,其目标是逻辑器件的高集成度,高密度和微型化。这导致了很多新技术的发展,例如3D集成电路使得可以将广泛的功能集成到更小,更快和更低能耗的设备中。然而,这些更复杂的集成电路需要更精密的工具来进行开发和原型设计,检查和失效分析,以便分析或到达感兴趣的区域。
氙离子FIB在半导体领域的应用 使用不同的切割方式制备TEM薄片样品 如何更高效完成毫米级半导体失效分析 |
Lukas Hladik
TESCAN失效分析半导体研发实验室,产品经理
Lukas Hladik
TESCAN失效分析半导体研发实验室,产品经理
· 精彩看点 ·
长期以来,提高性能和降低功耗是电子器件设计的基本要求,这需要通过器件构件(晶体管、存储单元等)的小型化、信号通路的减少(将多个组件集成在一个先进封装中)以及优化其它组件(包括显示器、射频、微机电系统和电池)来实现。
开发新产品是一件非常具有挑战性的工作,快速失效分析(FA)有助于确定缺陷的基本原因并向研发人员提供有效的反馈,以保证产品的上市时间和可靠性。对封装、先进封装、显示器、射频、微机电系统以及电池进行快速失效分析时,往往需要在样品表面以下几百微米甚至于几毫米寻找缺陷位置。由于样品结构的特殊性,需要对样品进行大面积的刻蚀以制备出截面才能够对特定的缺陷位置进行分析。因此,近10年来等离子FIB被普遍使用在这个过程中并受到了行业的广泛认可。然而,近年来随着器件结构越趋复杂、缺陷深度显著增加以及必须更快速获得分析结果等原因,对等离子FIB的能力提出了更高的要求。使用激光烧蚀可以将前期制样速度提升数千倍,因此将激光烧蚀技术加入到等离子FIB工作流程中不仅可以更快获得高质量的分析结果,同时也开启与实验室中不同类型设备协同合作的新篇章。
在本次研讨会上,将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。使用不同尺寸的要求苛刻的样品进行演示,样品包括复杂器件和不导电硬质材料,您可以看到非常灵活的工作流程。我们将为您展示如何结合超高分辨扫描电镜成像系统快速进行没有伪影的样品制备并揭示样品的真实细节。
|